針對手機(jī)V-charge端口防護(hù)，有客戶(hù)反饋，使用單顆12V靜電ESD保護(hù)二極管（有客戶(hù)習(xí)慣把ESD二極管稱(chēng)為T(mén)VS）作為端口浪涌防護(hù)器件，浪涌測試后，系統(tǒng)開(kāi)機(jī)失敗。為了解決這個(gè)(gè)現(xiàn)象，客戶(hù)特意向杭州東沃電子（DOWOSEMI）請教這個(gè)(gè)問(wèn)題，并希望能夠提出意見(jiàn)并整改好好這個(gè)(gè)方案。經(jīng)(jīng)過(guò)失效分析結(jié)果顯示，ESD二極管和后級(jí)IC均有損壞點(diǎn)(diǎn)。實(shí)(shí)驗(yàn)室復(fù)現(xiàn)失效，器件表面塑封體熔融，器件內(nèi)部芯片呈現(xiàn)較大區(qū)域燒毀點(diǎn)(diǎn)，確定為長(cháng)時(shí)(shí)間過(guò)電壓導(dǎo)致失效。

針對這個(gè)(gè)現(xiàn)象，東沃電子FAE工程師提出了解決方法和整改方案，具體詳情如下：

1）受測設(shè)備：手機(jī)；

2）測試標(biāo)準(zhǔn)：IEC61000-4-5，1.2/50-8/20us，2Ω，EOS 350V, DC 24V；

3）解決方法：更換24V 靜電ESD保護(hù)二極管器件作為端口浪涌防護(hù)器件，并搭載型號(hào)為WP3116的OVP器件，浪涌測試等級(jí)可至350V浪涌等級(jí)測試，同時(shí)(shí)滿(mǎn)足DC 24V直流耐壓測試； 

4）整改后優(yōu)(yōu)勢：更換浪涌防護(hù)等級(jí)更高的24V靜電ESD保護(hù)二極管器件進(jìn)(jìn)行浪涌防護(hù)，同時(shí)(shí)殘余能量被后級(jí)OVP吸收。測試直流耐壓時(shí)(shí)，靜電ESD保護(hù)二極管不動(dòng)(dòng)作，OVP進(jìn)(jìn)行過(guò)壓關(guān)(guān)斷，從而起到更好保護(hù)。